Графитовая подложка с покрытием из карбида кремния (SiC) является ключевым расходным материалом в производстве полупроводников, в основном используется в оборудовании MOCVD (металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы) для поддержки пластин.
Графитовая подложка с покрытием из карбида кремния (SiC) является ключевым расходным материалом в производстве полупроводников, в основном используется в оборудовании MOCVD (металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы) для поддержки пластин.
Графитовая основа обладает отличной теплопроводностью и высокой термостойкостью. Поверхность, покрытая карбидом кремния, полученным методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), выдерживает температуру до 1800°C, предотвращая загрязнение пластин графитовыми частицами.
Низкий коэффициент теплового расширения и высокая стойкость к коррозии делают данный материал подходящим для процессов роста полупроводников третьего поколения, таких как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), и широко используется в таких областях, как 5G-связь и силовые устройства для электромобилей.